2026年6月8日 单季度暴涨 64%!存储超级周期进入主升浪 2026 年存储超级周期最疯狂阶段开启:DRAM 环比涨 64%,HBM 产能缺口超 50%
来源: 作者: 发表时间:2026-06-08 浏览:0
消费端需求破坏效应显现,手机 PC 出货下滑,市场呈现冰火两重天。Computex 2026 确认 AI PC 将成为下一轮需求爆发点

2026年6月8日  星期一

近期行业要闻,王储助您了解行业动向:

1、韩国当地时间6月1日上午,SK海力士韩国清州第四园区发生气体室火灾,并伴随有毒气体氟化氢(HF)泄漏。现场泄漏浓度约为5ppm,超出安全标准。事故造成至少7人送医治疗,厂区约3600名员工一度被紧急疏散。

2、AI浪潮正在重塑全球存储产业格局。根据Counterpoint Research最新报告,2026年第一季度全球NAND Flash市场营收达到460亿美元,同比增长约3.5倍,创下历史新高。

3、摩根士丹利(大摩)在最新报告中指出,成熟型存储正迎来“利多超预期”的阶段。基于供需模型调整,大摩将2026年下半年DDR4供需缺口由原先的14%上调至19%-20%,并预计2027-2028年仍将维持18%-20%的紧张水平。

4、AI浪潮正在重塑全球存储产业格局。根据Counterpoint Research最新报告,2026年第一季度全球NAND Flash市场营收达到460亿美元,同比增长约3.5倍,创下历史新高。

5、近期消费端存储渠道市场分化明显、成交偏弱,观望情绪浓厚。DRAM 现货仍然相对坚挺,DDR5 因 AI 产能挤占供给偏紧,DDR4 相对温和但仍处高位,渠道询单增多但实际走量有限,多为小单补仓。SSD 市场持续承压,NAND 颗粒合约价高企。下游装机与升级需求受高价抑制,终端用户接受度低,渠道库存维持低位,多以按需拿货为主。短期消费端价格依然胶着,AI PC 带动的容量升级需求尚未完全释放,渠道整体仍将维持弱成交、低周转的格局。

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